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工业硅研磨机械工作原理

在对不同粒径分散度的氧化铈抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才。谭刚吴嘉丽.硅衬底的化学机械抛光工艺研究[J][J].仪器仪表学报,2005,26(8。

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本发明公开了一种自动调节化学机械抛光设备硅片研磨压力的方法,使用化学机械抛光设备对硅片研磨,在该化学机械抛光设备的HCLU内加装压力感应传感器,然后循环执行以下步骤。

2018年7月5日-本发明涉及一种半导体集成电路制造领域的化学机械抛光。本发明方法的原理是为实现自动测量retainerring厚度。检测图形片硅研磨速率的方法切割、研。

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