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多晶硅母合金掺杂原理

多晶硅靶材多晶硅是一种重要的溅射靶材材料,使用磁控。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金,其中。

为多晶硅原料的重量母—–为母合金的杂质浓度M——–为应掺母合金重量掺杂。下面我打个简单的比方:其实配母合金的原理很简单跟初中时配一定浓度的。

母合金产品特点进口12N电子极原生多晶硅,配掺高纯度硼粉(7N)级。目前广泛应用在拉单晶上的为硅硼负三合金。母合金掺杂计算方法电阻率P的单晶,它的头部对应的的。

摘要本发明公开了一种硅片母合金的制备方法,该方法。制备多晶硅的生产过程中的反应原料氯硅烷中加入掺杂。以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例。

2019年3月9日-在集成电路制造过程中,掺杂主要有扩散和离子注入。铜退火(CuAnneal)及合金(Alloy)等工艺。主营产品为全自动单晶生长炉、多晶硅铸锭炉、区。

直拉法生长的硅单晶中的杂质浓度受到许多因素的影响。掺杂估算所考虑的只是肩部下刚开始等径生长的硅单晶要达到的目标电阻率。在忽略了一些次要因素后。更多关于多晶硅母合金掺杂原理的问题

Presenter:2影响掺杂的几个因素QualityAssurance■杂质的蒸发﹕无论液体。Presenter:11針對新進多晶硅原料的硼母合金摻雜方式QualityAssur。

■提供磷硼砷锑等多种母合金的掺杂功能;■实现了多晶硅料及铸锭电阻率的。本直拉硅单晶完整制备工艺将系统地对上述各个方面进行从原理到实际操作进。

掺杂计算--理论与实践-什么是拉單晶摻雜劑--母合金﹖QualityAssurance所谓“母合金”是杂质元素。

2011年10月8日-当前,制备多晶硅太阳能电池的硅片导电类型要求为P型、电阻率要求在1-3Ω范围内,因此需要对铸锭的多晶硅料进行硼母合金的配料掺杂。现行方法是装料。

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